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1. AP Memory PSRAM的核心优势(1) 低功耗设计（适合电池供电设备）静态电流极低：待机电流低至微安级（µA），显著延长智能穿戴、IoT设备的续航。动态功耗优化：采用1.8V/3V双电压设计（如APS6404L），支持动态电压调节，适应不同性能需求。无需刷新电路：相比DRAM，节省功耗和PCB面积。(2) 高带宽 & 低延迟接口高速SPI/QSPI接口：支持最高200MHz时钟...

PSRAM（伪静态随机存储器）凭借低功耗、高带宽、接口简单等特性，成为智能穿戴设备（如智能手表、TWS耳机、AR眼镜、健康监测设备）的理想内存解决方案。1. 智能穿戴设备的关键需求 & PSRAM的匹配优势需求PSRAM的解决方案超低功耗（长续航）静态接口（无需刷新），待机电流低至µA级小尺寸（PCB空间有限）比DRAM封装更小（如WLCSP、KGD封装）实时数据处理高速访问（80MHz~2...

1. 主要应用领域（1）嵌入式系统 & 微控制器（MCU）应用场景：作为高速缓存或主内存，替代传统SRAM（降低成本）或DRAM（简化设计）。适用于RTOS（实时操作系统）下的数据缓冲，如传感器数据暂存。典型产品：STM32H7系列（外接PSRAM扩展内存）、ESP32（内置PSRAM支持Wi-Fi/蓝牙数据缓冲）。（2）移动设备 & 消费电子应用场景：智能手机/平板：辅助内存（如低端机型中...

A、选择PSRAM的核心场景1、低功耗需求:PSRAM的静态功耗远低于DDR，且无需频繁刷新。适合电池供电设备(如智能手表、血糖仪、IoT传感器)。2、简化硬件设计:PSRAM接口类似SRAM，无需复杂的DDR控制器和PHY(物理层)设计。布线简单，适合低层数PCB。适合资源有限的MCU系统、小型嵌入式模块(如智能家居控制板)。3、实时性要求高:PSRAM的访问延迟确定(类似SRAM)，而D...

PSRAM与Nor Flash的区别！存储类型PSRAMNor FLASH工作原理基于电容存储单元=1晶体管+1电容基于浮栅晶体管数据易失性易失性非易失性主要用途临时数据存储(运行内存)长期存储代码、固件访问方式支持高速随机读写随机读取，按块写入/擦除接口复杂度简单(类似SRAM)可能需要SPI、并行接口读写速度较快(10ns-20ns)读取快，写入/擦除慢(毫秒级)容量中等(几十Mb~几百...

PSRAM与SRAM、DRAM的区别！存储类型SRAMPSRAMDRAM工作原理基于触发器存储单元-6个品体管基于电容存储单元=1品体管+1电容基于电容存储单元=1晶体管+1电容数据易失性易失性易失性易失性接口复杂度简单简单(类似SRAM)复杂(需行列地址复用)读写速度极快(ns)较快(10ns-20ns)较快(几十ns)容量较小中等较大功耗高(静态功耗)中等，介于SRAM和DRAM之间较高...

PSRAM工作原理①内部结构-DRAM架构:1T(晶体管)+1C(电容器)，可有效压缩芯片体积，实现更大的存储容量。-内置刷新控制器:自动管理刷新操作，无需外部控制器干预，对外隐藏了DRAM的复杂性。②接口模拟SRAM-无外部刷新需求:外部处理器访问PSRAM时，无需发送刷新指令，操作方式与SRAM完全一致(直接通过地址/数据总线读写)。③刷新机制: 自刷新模式，在空闲周期或低功耗模式下，P...

1、按接口类型①并行接口PSRAM特点：采用并行总线(如地址线+数据线)，支持高速数据传输。带宽:可达 400MB/s(如16位总线，100MHz时钟)应用:需要高带宽的场景(如工业控制、图形处理)。典型型号:APADMUXPSRAM。②串行接口PSRAMA:按位元数带宽分类参数SPI pSRAMQPI pSRAMOPI pSRAMHPI pSRAM位元数带宽Single bit(x1bit...

       爱普提供全面的HYPERRAM™/Octal xSPI RAM存储器产品组合，密度范围为16 Mb至512 Mb。凭借其独特的高带宽和低引脚数组合，HYPERRAM™ 非常适合需要额外 RAM 进行数据密集型操作的各种IoT、汽车电子、工业控制等应用。这些能源经济型 pSRAM 也是电池供电的消费类和可穿戴设备的理想扩展存储器选择。特点；3 x 2 mm 的小封装通过 xSP...

APS6404L 是 AP Memory（爱普科技）推出的一款 64Mb（8MB）Octal SPI PSRAM，采用 8线高速SPI接口，支持 最高144MHz时钟频率，适用于高性能嵌入式系统、IoT设备（如ESP32-S3）、AI边缘计算等场景。1. 关键特性容量：64Mb（8M x 8bit）接口：Octal SPI（8线，支持DTR模式）时钟频率：标准SPI模式：最高50MHzOct...

‌一、成本与容量平衡‌‌低成本高密度‌PSRAM采用类似DRAM的单晶体管+电容结构，相比SRAM（需6晶体管）大幅降低单位存储成本，同时保持比SRAM更高的存储密度。例如，兆易创新的GD32E5系列MCU集成4MB PSRAM，显著提升了MCU的内存容量‌。‌对比SRAM‌：SRAM成本高昂且容量受限，而PSRAM可实现更大容量（如几MB至十几GB）‌。‌对比DRAM‌：虽容量略低，但省去...

1. 读写速度快快速响应传感器数据：智能穿戴设备搭载众多传感器，如加速度计、陀螺仪、心率传感器等，需实时处理大量数据。PSRAM 读写速度与 SRAM 相近，能快速响应传感器数据读取与写入，确保数据及时处理，避免数据积压。例如智能手表在记录运动轨迹时，PSRAM 可让主控芯片迅速获取加速度计和陀螺仪数据，实时精准计算运动状态。保障流畅交互体验：用户与智能穿戴设备交互频繁，如触摸屏幕、语音指令...

基本存储原理PSRAM 本质上基于 DRAM 技术，但通过内部集成的控制器，使其在使用上表现得像 SRAM。DRAM 存储原理基础DRAM 以电容来存储数据，电容充电表示逻辑 “1”，放电表示逻辑 “0”。然而，电容存在漏电问题，所以每隔一段时间就需要对电容进行刷新操作，以维持存储的数据。PSRAM 的改进PSRAM 在 DRAM 的基础上集成了刷新电路。这个刷新电路会自动对存储单元进行刷新...

APS1604M-3SQR-SN芯片是一款由AP Memory Technology Corporation生产的动态随机存取存储器（DRAM），专为物联网（IoT）设备设计。该芯片以其低功耗、高性能和广泛的工作温度范围，在嵌入式系统、智能设备以及可穿戴设备等领域得到了广泛应用。APS1604M-3SQR-SN芯片是一款伪静态随机存取存储器（PSRAM），采用了先进的QSPI（四通道SPI）...

APS12808L-OBM-BA芯片，作为爱普科技（AP Memory）在PSRAM（伪静态随机存取存储器）领域的一款杰出产品，自推出以来便以其卓越的性能、超低功耗以及大容量支持，在多个应用领域内广受好评。APS12808L-OBM-BA芯片是一款128Mb的PSRAM，它支持双倍数据速率（DDR）OPI Xccela模式，这一特性使得其读写吞吐量高达266MB/s，远超同类产品。该芯片采用...

提到PSRAM厂家，不得不提的是一些传统的半导体巨头。三星、海力士（Hynix）和美光（Micron）等公司在全球半导体市场中占据重要地位，其PSRAM产品也颇具竞争力。这些公司拥有先进的生产工艺和技术实力，能够提供高质量、高性能的PSRAM产品。三星和海力士在存储器领域有着深厚的积累，其PSRAM产品在容量、速度、功耗等方面均表现出色，广泛应用于智能手机、平板电脑等消费电子领域。美光则以其...

SRAM（静态随机存取存储器）SRAM是一种重要的随机存取存储器类型，全称为Static Random-Access Memory，即静态随机存取存储器。其显著特点是，只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，无需像DRAM（动态随机存取存储器）那样周期性地刷新来保持数据。SRAM的存储单元通常由六个晶体管构成，这种结构使得每个存储单元可以存储一个二进制位（0或1），并且能够在不需要外部干...

APS1604M-3SQR-ZR是一款由AP Memory（爱普科技）生产的伪静态随机存取存储器（PSRAM），其存储容量为16Mb，采用Quad SPI（四通道串行外设接口）通信协议，支持SDR（单数据率）模式，最高时钟频率可达133MHz或84MHz（具体取决于工作模式）。该芯片采用USON8封装形式，具有紧凑的尺寸和高效的电气性能，非常适合于空间受限且对性能要求较高的应用场景。从技术规...

PSRAM的基本原理PSRAM，顾名思义，是一种结合了DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）特性的存储器类型。它利用DRAM的存储单元结构来降低成本，同时通过内置的刷新电路模拟SRAM的行为，从而无需像DRAM那样频繁地进行外部刷新操作。这种设计使得PSRAM既保持了DRAM的高密度和低价格优势，又具备了SRAM的高速访问特性，非常适合于需要高速缓存和大容量存储的嵌入...

诞生背景与初期发展PSRAM的诞生，是存储技术发展的必然产物。在早期的计算机系统中，DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）是两种主要的存储器类型。DRAM以其高密度、低成本的优势成为内存的主流选择，但其需要定期刷新以维持数据不丢失的特性，增加了系统设计的复杂性。而SRAM则无需刷新，直接通过内部的晶体管锁存电路保持数据，但其制造成本高昂，限制了其在大容量存储中的应用。...