PSRAM与Nor Flash的区别！

PSRAM与Nor Flash的区别！

存储类型	PSRAM	Nor FLASH
工作原理	基于电容 存储单元=1晶体管+1电容	基于浮栅晶体管
数据易失性	易失性	非易失性
主要用途	临时数据存储(运行内存)	长期存储代码、固件
访问方式	支持高速随机读写	随机读取，按块写入/擦除
接口复杂度	简单(类似SRAM)	可能需要SPI、并行接口
读写速度	较快(10ns-20ns)	读取快，写入/擦除慢(毫秒级)
容量	中等(几十Mb~几百Mb)	较小(几Mb到几Gb)
功耗	中等，介于SRAM和DRAM之间	读取功耗低，写入功耗高
成本	中等，介于SRAM和DRAM之间	较高(按容量计，高于Nand Flash)
寿命	无限次读写	有限次数
应用场景	移动设备运行内存扩展(辅助缓存)较大容量RAM但接口复杂受限的移动设备(智能手表)	IoT设备固件存储嵌入式系统启动代码(如STM32的Bootloader)

两者互补性较强，常共存于同一系统，如PSRAM运行内存，Nor Flash存储代码。