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PSRAM与SRAM、DRAM的区别!
发表时间:2025-05-23 11:22
PSRAM与SRAM、DRAM的区别!
存储类型
SRAM
PSRAM
DRAM
工作原理
基于触发器存储单元-6个品体管
基于电容存储单元=1品体管+1电容
基于电容存储单元=1晶体管+1电容
数据易失性
易失性
易失性
易失性
接口复杂度
简单
简单(类似SRAM)
复杂(需行列地址复用)
读写速度
极快(ns)
较快(10ns-20ns)
较快(几十ns)
容量
较小
中等
较大
功耗
高(静态功耗)
中等,介于SRAM和DRAM之间
较高(频繁刷新)
成本
较高
介于SRAM和DRAM之间
较低
密度
低
高
最高
寿命
无写入次数限制
无写入次数限制
无写入次数限制
制程技术
28nm、14nm、7nm
90nm到40nm
20nm到10nm
应用场景
高速缓存、实时数据处理、CPU寄存器
穿戴设备/IoT模块
手机/PC主内存
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PSRAM工作原理
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联系电话 :
0755-83682323
邮箱:yunyingzhuli@beilenet.com
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