1. AP Memory PSRAM的核心优势
(1) 低功耗设计(适合电池供电设备)
静态电流极低:待机电流低至微安级(µA),显著延长智能穿戴、IoT设备的续航。
动态功耗优化:采用1.8V/3V双电压设计(如APS6404L),支持动态电压调节,适应不同性能需求。
无需刷新电路:相比DRAM,节省功耗和PCB面积。
(2) 高带宽 & 低延迟接口
(3) 小封装 & 高集成度
(4) 工业级可靠性
(5) 成本优势
2. 典型产品型号及参数
型号 | 容量 | 接口 | 电压 | 频率 | 封装 | 适用场景 |
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APS6404L | 64Mb | Octal-SPI | 1.8V/3V | 133MHz | 8x6mm WLCSP | 智能手表、AR眼镜 |
APS1604L | 16Mb | QSPI | 1.8V | 104MHz | 4x4mm KGD | TWS耳机、健康监测 |
APS25608N | 256Mb | HyperBus | 1.8V | 200MHz | 6x8mm BGA | 高性能边缘AI设备 |
APS3204M | 32Mb | SPI | 3V | 80MHz | 8-SOP | 低成本IoT终端 |
3. 与竞品(Winbond/ISSI)对比
特性 | AP Memory | Winbond | ISSI |
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最大容量 | 256Mb(APS25608N) | 128Mb(W956D8MBYA) | 128Mb(IS66WVS128M8) |
接口速度 | 最高200MHz(HyperBus) | 133MHz(Octal-SPI) | 166MHz(Octal-SPI) |
低功耗优化 | 待机电流<10µA | 待机电流~20µA | 待机电流~15µA |
封装多样性 | WLCSP/KGD/BGA/SOP | SOP/BGA | BGA/SOP |
典型应用 | 穿戴设备、AR/VR | 工业控制、汽车电子 | 通信模块、AI加速 |
✅ AP Memory的优势领域:
✔ 超低功耗穿戴设备(如TWS耳机、智能手表)。
✔ 小尺寸高集成设计(WLCSP封装)。
✔ 高带宽边缘计算(HyperBus接口+大容量)。
4. 典型应用案例
智能手表(华米Amazfit)
TWS耳机(华为FreeBuds Pro)
AR眼镜(Rokid Air)