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AP Memory(爱普)的PSRAM芯片优势

发表时间:2025-08-04 17:33

1. AP Memory PSRAM的核心优势

(1) 低功耗设计(适合电池供电设备)

  • 静态电流极低:待机电流低至微安级(µA),显著延长智能穿戴、IoT设备的续航。

  • 动态功耗优化:采用1.8V/3V双电压设计(如APS6404L),支持动态电压调节,适应不同性能需求。

  • 无需刷新电路:相比DRAM,节省功耗和PCB面积。

(2) 高带宽 & 低延迟接口

  • 高速SPI/QSPI接口:支持最高200MHz时钟频率(如APS6408L),满足实时数据处理需求(如音频流、传感器融合)。

  • Xccela总线兼容:与主流MCU(如ESP32、STM32)无缝对接,减少开发难度。

(3) 小封装 & 高集成度

  • 紧凑封装:提供WLCSP(晶圆级芯片封装)KGD(Known Good Die)等超小尺寸方案,适合空间受限的穿戴设备。

  • 多容量选择:覆盖8Mb~256Mb,灵活适配不同应用场景(如8Mb用于TWS耳机,64Mb用于AR眼镜)。

(4) 工业级可靠性

  • 宽温范围:-40°C~85°C(工业级),-40°C~105°C(车规级可选),适应严苛环境。

  • 抗干扰性强:通过EMC/ESD测试,适合医疗、工业等场景。

(5) 成本优势

  • 性价比高于SRAM:相同容量下,价格比SRAM低30%~50%。

  • 简化设计:无需DRAM控制器,降低硬件复杂度。


2. 典型产品型号及参数

型号容量接口电压频率封装适用场景
APS6404L64MbOctal-SPI1.8V/3V133MHz8x6mm WLCSP智能手表、AR眼镜
APS1604L16MbQSPI1.8V104MHz4x4mm KGDTWS耳机、健康监测
APS25608N256MbHyperBus1.8V200MHz6x8mm BGA高性能边缘AI设备
APS3204M32MbSPI3V80MHz8-SOP低成本IoT终端

3. 与竞品(Winbond/ISSI)对比

特性AP MemoryWinbondISSI
最大容量256Mb(APS25608N)128Mb(W956D8MBYA)128Mb(IS66WVS128M8)
接口速度最高200MHz(HyperBus)133MHz(Octal-SPI)166MHz(Octal-SPI)
低功耗优化待机电流<10µA待机电流~20µA待机电流~15µA
封装多样性WLCSP/KGD/BGA/SOPSOP/BGABGA/SOP
典型应用穿戴设备、AR/VR工业控制、汽车电子通信模块、AI加速

✅ AP Memory的优势领域
超低功耗穿戴设备(如TWS耳机、智能手表)。
小尺寸高集成设计(WLCSP封装)。
高带宽边缘计算(HyperBus接口+大容量)。


4. 典型应用案例

  1. 智能手表(华米Amazfit)

    • 方案:Nordic nRF5340 + APS6404L(64Mb PSRAM)

    • 作用:存储GUI帧缓存 + 运动识别AI模型。

  2. TWS耳机(华为FreeBuds Pro)

    • 方案:BES2500 + APS1604L(16Mb PSRAM)

    • 作用:缓存降噪算法数据 + 语音唤醒模型。

  3. AR眼镜(Rokid Air)

    • 方案:瑞芯微RK3566 + APS25608N(256Mb PSRAM)

    • 作用:SLAM数据实时处理 + 显示渲染。


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