AP MEMORY(爱普)-PSRAM

        爱普提供全面的HYPERRAM™/Octal xSPI RAM存储器产品组合，密度范围为16 Mb至512 Mb。凭借其独特的高带宽和低引脚数组合，HYPERRAM™ 非常适合需要额外 RAM 进行数据密集型操作的各种IoT、汽车电子、工业控制等应用。这些能源经济型 pSRAM 也是电池供电的消费类和可穿戴设备的理想扩展存储器选择。

特点；

• 3 x 2 mm 的小封装

• 通过 xSPI/HYPERBUS™减少引脚数

• 通过混合休眠模式实现节能高效

• 高达 4266MB 的高带宽

• HYPERFLASH™ 加上 HYPERRAM™ 作为 MCP

• 可扩展密度高达 512 Mb

• 温度最高可达 105°C

• 广泛的生态系统支持

  HYPERRAM™   - 伪静态RAM（pSRAM）技术

  HYPERRAM™是一款高速CMOS，自刷新DRAM，具有HYPERBUS™接口。它的存储器阵列内部结构类似于 DRAM，但在外部却像 SRAM 一样运作。

  DRAM 阵列需要定期刷新才能保持数据完整性。当主机未主动读取或写入内存时，HYPERRAM™ 在内部管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于不需要主机管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRAM 阵列就像静态单元，无需刷新即可保留数据。因此，HYPERRAM™被描述为伪静态RAM（pSRAM）。

  这些低功耗、高性能和低引脚数的 pSRAM 适用于需要额外 RAM 来缓冲数据、音频、图像、视频的应用程序，或者用作数学和数据密集型操作的便笺的应用程序。

  • 密度：16 Mb、32 Mb、64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb

  • 接口：HyperBus™(x8)、Octal xSPI(x4 x8) 和HyperBus™ Extended I/O (x16)

  • 主要特性：

    • 外形小巧 – SOP封装确保了较小的占板空间

    • 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本

    • 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效

    • 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能

      APMemory爱普 pSRAM 选型表_20250627165842.pdf